• Przesyłka kurierska
• Paczkomat Inpost

• płatność on-line, karta, blik
• przedpłata, przelew tradycyjny

Elementy półprzewodnikowe w AVO.

Poniżej pokazujemy tabelę z podstawowymi parametrami tyrystorów i tranzystorów stosowanych w aparatach produkcji AVO technika. Jak widać stosujemy półprzewodniki o wyższych parametrach obciążeniowych, niż podają dane techniczne produktów. Taki sposób wykonania urządzeń zapewnia jak najmniejszą awaryjność. Tyrystor – element półprzewodnikowy składający się z 4 warstw w układzie p-n-p-n, wyposażony w 3 elektrody, z których dwie są przyłączone do warstw skrajnych, a trzecia do jednej z warstw środkowych – warstwy typu p. Elektrody przyłączone do warstw skrajnych nazywa się katodą (K) i anodą (A), a elektrodę przyłączoną do warstwy środkowej typu p – bramką (G, od ang. gate – ‘bramka’).

Po podaniu napięcia wyzwalającego do bramki tyrystor zaczyna przewodzić, do czasu odłączenia napięcia zasilania. Umożliwia to osiągnięcie prądów do kilkunastu [kA]. IGBT (ang. insulated gate bipolar transistor) – tranzystor bipolarny z izolowaną bramką. Jest to element półprzewodnikowy mocy używany w przekształtnikach energoelektronicznych o mocach do kilkuset kilowatów. Łączy zalety dwóch typów tranzystorów: łatwość sterowania tranzystorów polowych i wysokie napięcie przebicia oraz szybkość przełączania tranzystorów bipolarnych. IGBT umożliwia załączanie prądów powyżej 1 kA i blokowanie napięć do kilku [kV].