Płatności on - line
Wyszukiwarka
Subskrypcja:

Wysyłki:    Płatności:
  • Przesyłka kurierska
  • Paczkomat Inpost
  • płatność on-line, karta, blik
  • przedpłata, przelew tradycyjny
 
Co poprawić na tej stronie?
Sonda
Ilość gości, wizyt:
Dziś: 2Ogółem: 909549

Elementy półprzewodnikowe w AVO

  • AVO zapraszamy
    AVO zapraszamy

Elementy półprzewodnikowe w AVO.

Poniżej pokazujemy tabelę z podstawowymi parametrami tyrystorów i tranzystorów stosowanych w aparatach produkcji AVO technika. Jak widać stosujemy półprzewodniki o wyższych parametrach obciążeniowych, niż podają dane techniczne produktów. Taki sposób wykonania urządzeń zapewnia jak najmniejszą awaryjność. Tyrystor – element półprzewodnikowy składający się z 4 warstw w układzie p-n-p-n, wyposażony w 3 elektrody, z których dwie są przyłączone do warstw skrajnych, a trzecia do jednej z warstw środkowych – warstwy typu p. Elektrody przyłączone do warstw skrajnych nazywa się katodą (K) i anodą (A), a elektrodę przyłączoną do warstwy środkowej typu p – bramką (G, od ang. gate – ‘bramka’).

 

Triak (simistor) BTA-41/600B, tyrystorowe regulatory serii RT, RDC i RGS do 40A

Symbol

Parameter

 

Value

IT(RMS)

RMS on-state current (full sine wave)

RD91

Tc = 80°C

40 A

TOP3

TOP3 Ins.

Tc = 70°C

ITSM

Non repetitive surge peak on-state current  (full cycle, Tj initial = 25°C)

F = 60 Hz

t = 16.7 ms

420 A

F = 50 Hz

t = 20 ms

400 A

Tyrystor IRKT500/18, tyrystorowe regulatory serii RDC i RGS do 450A

SYMBOL

TEST CONDITIONS

Tj(0C)

VALUE

Min

Type

Max

IT(AV)

1800 half sine wave 50Hz

Single side cooled, Tc=850C

125

 

 

500 A

IT(RMS)

 

125

 

 

785 A

 

VDRM&VRRM tp=l Oms v DsM RsM— -v DRM RRM+100V respectively

125

600

 

1800 V

 Tranzystor IGBT, FGH60N60SMD, zasilacze ZWN oraz ozonatory OZ-TM.

Symbol

Description

Ratings

VCES

Collector to Emitter Voltage

600 V

VGES

Gate to Emitter Voltage

± 20 V

IC

Collector Current                                      @ TC = 25oC

120 A

Collector Current                                     @ TC = 100oC

60 A

ICM (1)

Pulsed Collector Current                                      @ TC = 25oC  

180 A

PD

Maximum Power Dissipation                     @ TC = 25oC

378 W

Maximum Power Dissipation                    @ TC = 100oC

151 W

 

Po podaniu napięcia wyzwalającego do bramki tyrystor zaczyna przewodzić, do czasu odłączenia napięcia zasilania. Umożliwia to osiągnięcie prądów do kilkunastu [kA]. IGBT (ang. insulated gate bipolar transistor) – tranzystor bipolarny z izolowaną bramką. Jest to element półprzewodnikowy mocy używany w przekształtnikach energoelektronicznych o mocach do kilkuset kilowatów. Łączy zalety dwóch typów tranzystorów: łatwość sterowania tranzystorów polowych i wysokie napięcie przebicia oraz szybkość przełączania tranzystorów bipolarnych. IGBT umożliwia załączanie prądów powyżej 1 kA i blokowanie napięć do kilku [kV].

 

Elementy półprzewodnikowe w AVO - Galeria 4

Logo spółki

Logo spółki

Izba branżowa

Izba branżowa

Certyfikat Oferteo

Certyfikat Oferteo